Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2015, том 85, выпуск 1, страницы 114–117 (Mi jtf7666)  
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Твердотельная электроника

Влияние толщины слоев TiO$_x$/TiO$_2$ на их мемристорные свойства

А. В. Емельяновa, В. А. Деминab, И. М. Антроповa, Г. И. Целиковa, З. В. Лаврухинаa, П. К. Кашкаровabc

a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
b Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Московская область, Россия
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
PDF полного текста (196 kB) Список цитирования (11)
Аннотация: Исследовано влияние толщины слоев гетероструктуры TiO$_x$/TiO$_2$ на ее мемристорные свойства. Методом oже-спектроскопии определена зависимость показателя стехиометрии изготовленных слоев от их толщины. Зависимость отношения сопротивлений в высоко- и низкоомном состояниях $R_{\mathrm{off}}/R_{\mathrm{on}}$ мемристорного элемента от толщины его слоев имеет немонотонный характер. Наибольшее значение $R_{\mathrm{off}}/R_{\mathrm{on}}$ = 200 получено при одинаковой толщине слоев TiO$_x$ и TiO$_2$, равной 30 nm.
Поступила в редакцию: 14.02.2014
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2015, Volume 60, Issue 1, Pages 112–115
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784215010077
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Емельянов, В. А. Демин, И. М. Антропов, Г. И. Целиков, З. В. Лаврухина, П. К. Кашкаров, “Влияние толщины слоев TiO$_x$/TiO$_2$ на их мемристорные свойства”, ЖТФ, 85:1 (2015), 114–117; Tech. Phys., 60:1 (2015), 112–115
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EmeDemAnt15}
\by А.~В.~Емельянов, В.~А.~Демин, И.~М.~Антропов, Г.~И.~Целиков, З.~В.~Лаврухина, П.~К.~Кашкаров
\paper Влияние толщины слоев TiO$_x$/TiO$_2$ на их мемристорные свойства
\jour ЖТФ
\yr 2015
\vol 85
\issue 1
\pages 114--117
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf7666}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195972}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2015
\vol 60
\issue 1
\pages 112--115
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784215010077}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf7666
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v85/i1/p114
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025