Магниторезистивная среда на основе пленочной структуры Fe$_{20}$Ni$_{80}$/Fe$_{50}$Mn$_{50}$

Исследовано влияние ряда физико-технологических факторов на микроструктуру, магнитные и магниторезистивные свойства пленочных структур на основе бислоев Fe$_{20}$Ni$_{80}$/Fe$_{50}$Mn$_{50}$ с обменным (магнитным) смещением. Определены зависимости поля магнитного смещения, коэрцитивной силы, величины эффекта анизотропии магнитосопротивления от порядка осаждения и толщины слоев в пленочных структурах, температуры подложки, температуры отжига, температуры измерений для пленок, полученных магнетронным распылением, в том числе в условиях высокочастотного электрического смещения на подложке. Показано, что пленочная структура SiO$_2$/Ta(5)/Fe$_{20}$Ni$_{80}$(5)/Fe$_{50}$Mn$_{50}$(20)/$_{20}$Ni$_{80}$(40)/Ta(5) обладает оптимальным сочетанием свойств как магниторезистивная среда с внутренним магнитным смещением. Приведены результаты испытания магнитных сенсоров, изготовленных из этого материала по технологии оптической фотолитографии.