Влияние бомбардировки ионов O$_2^+$ на состав и структуру TiN

B работе показано, что имплантация ионов O$_2^+$ при низких энергиях ($E_0\le$ 2–3 keV) и высоких дозах ($D\ge$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$) приводит к существенному изменению состава и аморфизации приповерхностных слоев ТiN. Постимплантационный отжиг при $T\approx$ 950–1000 K в течение 30 min приводит к формированию поликристаллической пленки с примерным составом ТiN$_{0.6}$О$_{0.4}$. Анализ фотоэлектронных спектров дает возможность предположить, что пленки ТiN и ТiN$_{0.6}$О$_{0.4}$ являются узкозонными вырожденными полупроводниками $n$-типа.