Оптическая диагностика лазерно-индуцированных фазовых превращений в тонких пленках германия на кремнии, сапфире и кварце

Методом in-situ изучены процессы модификации под действием наноимпульсного излучения рубинового лазера тонких (200–600 nm) пленок германия (Ge), полученных ионно-лучевым или магнетронным распылением на подложки монокристаллического кремния (Si), сапфира (Al$_2$O$_3$) и плавленого кварца ($\alpha$-SiO$_2$). Данные о динамике лазерного воздействия получены оптическим зондированием облучаемой зоны на $\lambda$ = 0.53 и 1.06 $\mu$m. Результаты зондирования позволили установить пороговые значения плотности энергии лазерного облучения, соответствующие образованию расплава Ge и Si, а также абляционной плазмы Ge в зависимости от количества осажденного Ge и теплофизических параметров подложек. Из осциллограмм отражения $R(t)$ построены зависимости времени существования расплава от плотности энергии лазерных импульсов.