Твердофазный синтез покрытий карбина в условиях термодинамического воздействия интенсивным электронным пучком

Рассмотрено твердофазное превращение графита в карбин интенсивным электронным пучком, задающее высокое содержание углеродных фаз с $sp$-валентной гибридизацией электронов. Определены две стадии процесса. На первой стадии распылением графита ионным пучком аргона с энергий 4 keV и при давлении 6.6 $\cdot$ 10$^{-3}$ Pа осаждают микронных толщин углеродное покрытие. На второй стадии пучком электронов с энергией 20 keV и длительностью 1–2 s. Показано, что процесс прямого твердотельного фазового превращения графита в карбин и кристаллизация гексагонального карбина обеспечивается при сравнительно низкой температуре 1500–1600 K благодаря ходу реакции в условиях низкого давления 2 $\cdot$ 10$^{-3}$ Pa.