|
|
Журнал технической физики, 2015, том 85, выпуск 4, страницы 62–66
(Mi jtf7740)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Твердотельная электроника
Влияние межминизонного туннелирования на генерацию тока в полупроводниковой сверхрешетке
А. О. Сельскийab, А. А. Короновскийab, О. И. Москаленкоab, А. Е. Храмовab, T. M. Fromholdc, M. T. Greenawayc, А. Г. Балановad a Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского, 410012 Саратов, Россия
b Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А., 410056 Саратов, Россия
c School of Physics & Astronomy, University of Nottingham,
Nottingham NG7 2RD, UК
d Department of Physics, Loughborough University,
Loughborough, LE11 3TU, UK
Аннотация:
Теоретически изучeнo влияние ширины запрещенной зоны между первой и второй энергетическими минизонами на транспорт заряда в полупроводниковой сверхрешетке, к которой приложены электрическое и наклонное магнитные поля. Были рассчитаны временные зависимости тока, протекающего через сверхрешетку, и построены зависимости амплитуды и частоты колебаний электрического тока от приложенного напряжения. Обнаружено, что межминизонное туннелирование электронов способствует уменьшению амплитуды колебаний тока, но в то же время увеличивает их частоту.
Поступила в редакцию: 07.11.2015
Образец цитирования:
А. О. Сельский, А. А. Короновский, О. И. Москаленко, А. Е. Храмов, T. M. Fromhold, M. T. Greenaway, А. Г. Баланов, “Влияние межминизонного туннелирования на генерацию тока в полупроводниковой сверхрешетке”, ЖТФ, 85:4 (2015), 62–66; Tech. Phys., 60:4 (2015), 541–545
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf7740 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v85/i4/p62
|
|