Синтез AlGaN/GaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Рассмотрена технология синтеза методом молекулярно-лучевой эпитаксии AlGaN/GaN полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур для фотоприемников ультрафиолетового диапазона спектра. Проведена разработка технологии получения AlGaN-слоев и многослойных гетероструктур, включающей в себя нитридизацию поверхности подложки сапфира, создание инициирующего зародышевого слоя и рост буферного слоя, рост нелегированных и легированных слоев AlGaN различного состава. Исследовано влияние режимов роста на морфологию поверхности, плотность прорастающих дислокаций и других структурных дефектов, электрофизические и оптические свойства отдельных слоев и AlGaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников. Выполнено математическое моделирование $p$–$i$–$n$-фотодиодов, разработан технологический маршрут изготовления AlGaN-гетероструктур, изготовлены тестовые AlGaN $p$–$i$–$n$-диоды и исследованы их характеристики.