Электрофизические свойства новой контактной структуры “нанообъект–полупроводник”

Представлена теоретическая модель формирования области пространственного заряда в принципиально новых контактных структурах, состоящих из полупроводниковой базы и нанесенных на нее нановключений. Свойства нового типа контакта (и по структуре, и по протяженности) принципиально отличаются от аналогичных контактных структур типа барьеров Шоттки, сплошных $p$–$n$-переходов и гетеропереходов. На основе разработанной теоретической модели новой контактной структуры объяснено эффективное фотопреобразование в широком инфракрасном диапазоне солнечного излучения, наблюдаемое в эксперименте. Показано, что эффективное поглощение инфракрасного излучения становится возможным благодаря удлинению области пространственного заряда, что обеспечивается созданием непосредственно на подложке многих наноразмерных $p$–$n$-переходов. При этом допускается в качестве подложки использование относительно дешевых материалов.