Высоковольтные дрейфовые диоды с резким восстановлением на основе 4H-SiC: теоретическая оценка предельных параметров

Разработана простая аналитическая модель, описывающая работу 4H-SiC дрейфовых диодов с резким восстановлением (ДДРВ) со структурой $p^+$–$p$–$n_0$–$n^+$. С использованием разработанной модели теоретически оценены предельные электрические параметры высоковольтных (2–10 kV) импульсных генераторов, построенных на основе одиночных диодов.