|
|
Журнал технической физики, 2015, том 85, выпуск 6, страницы 137–142
(Mi jtf7811)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физическая электроника
Атомно-молекулярная модель граничного трения в микротрибоконтактах поверхностей полупроводниковых и диэлектрических материалов
В. А. Колпаковa, Н. А. Ивлиевab a Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С. П. Королёва, 443123 Самара, Россия
b Институт систем обработки изображений РАН, 443001 Самара, Россия
Аннотация:
Рассмотрены механизмы механического и молекулярного трения полупроводниковых и диэлектрических подложек при трибометрическом взаимодействии их поверхностей. Показаны возможности применения теории И.В. Крагельского для аналитического определения механической составляющей силы трения и адгезионной модели трения, устанавливающих связь между параметрами механизма точечного трибометрического взаимодействия подложек, имеющих одинаковую степень загрязнения, и концентрацией органических молекул адсорбированных поверхностями. Полученная аналитическая зависимость позволяет определять концентрацию атомов и молекул, адсорбируемых поверхностью в пределах до 10$^{-10}$ g/cm$^2$. Расхождение теоретических и экспериментальных результатов не превышает 18%.
Поступила в редакцию: 11.09.2014
Образец цитирования:
В. А. Колпаков, Н. А. Ивлиев, “Атомно-молекулярная модель граничного трения в микротрибоконтактах поверхностей полупроводниковых и диэлектрических материалов”, ЖТФ, 85:6 (2015), 137–142; Tech. Phys., 60:6 (2015), 922–927
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf7811 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v85/i6/p137
|
|