|
|
Журнал технической физики, 2015, том 85, выпуск 7, страницы 112–118
(Mi jtf7832)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Электрофизика, электронные и ионные пучки, физика ускорителей
Моделирование морфологии поверхности при низкоэнергетическом ионном распылении
А. С. Шумилов, И. И. Амиров Ярославский филиал Физико-технологического института РАН,
150007 Ярославль, Россия
Аннотация:
Представлен новый двумерный метод моделирования морфологии поверхности материалов в процессах низкоэнергетического ионного распыления с учетом процесса переосаждения распыляемого материала. Проведено моделирование изменения профиля микроканавок в кремнии при распылении их ионами аргона низкой энергии плотной плазмы ВЧ индукционного разряда. Результаты численного моделирования находятся в хорошем согласии с экспериментом.
Поступила в редакцию: 29.11.2013
Образец цитирования:
А. С. Шумилов, И. И. Амиров, “Моделирование морфологии поверхности при низкоэнергетическом ионном распылении”, ЖТФ, 85:7 (2015), 112–118; Tech. Phys., 60:7 (2015), 1056–1062
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf7832 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v85/i7/p112
|
|