Влияние режимов термообработки на структуру и оптические свойства кристаллического кремния с нанокристаллами GaSb, сформированными высокодозной ионной имплантацией

Методами Резерфордовского обратного рассеяния и просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) исследованы распределение внедренных примесей и структура нанокомпозитов “GaSb+Si” в зависимости от режимов ионной имплантации и проведенных термообработок. Показано, что “горячая” имплантация и отжиг приводят к заметным потерям примеси и сдвигу максимумов концентраций внедренных атомов к поверхности. Данные ПЭМ подтвердили формирование нанокристаллов размером от 20 до 100 nm, а также дефектов дислокационного типа и остаточных механических напряжений. С использованием метода спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) проведены исследования структуры и фазового состава экспериментальных образцов кремния, содержащих различные нанокристаллические включения.