|
|
Журнал технической физики, 2015, том 85, выпуск 10, страницы 58–63
(Mi jtf7905)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
Плазма
Генерация высоковольтных импульсов с субнаносекундным фронтом нарастания в “открытом разряде”. II Механизм коммутации
П. А. Бохан, П. П. Гугин, Д. Э. Закревский, М. А. Лаврухин Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Проведено исследование механизма быстрой коммутации в устройствах на основе “открытого разряда”. В основу положены особенности вольт-амперных характеристик квазистационарного открытого разряда, которые при $U\sim$ 3–4 kV приобретают резкую зависимость $j\sim U^y$ с $y>$ 10. Такая зависимость обусловлена тем, что при $U>$ 3 kV основным механизмом генерации ВУФ-излучения становится возбуждение атомов гелия быстрыми атомами гелия, рождающимися в результате резонансной перезарядки ионов He$^+$ при их движении от анода к катоду. В коаксиальном варианте или конструкции “сандвич”, состоящей из двух ускорительных зазоров, из которых электроны движутся навстречу друг другу, осуществляются многочисленные осцилляции электронов. Это приводит к интенсификации процесса наработки быстрых атомов и соответственно резонансных ВУФ-фотонов. В результате достигнуты времена коммутации $\sim$ 0.5 ns. На основе полученных данных оценено предельное время коммутации, которое составляет $\sim$ 100 ps.
Поступила в редакцию: 01.09.2014
Образец цитирования:
П. А. Бохан, П. П. Гугин, Д. Э. Закревский, М. А. Лаврухин, “Генерация высоковольтных импульсов с субнаносекундным фронтом нарастания в “открытом разряде”. II Механизм коммутации”, ЖТФ, 85:10 (2015), 58–63; Tech. Phys., 60:10 (2015), 1472–1477
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf7905 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v85/i10/p58
|
|