Микроразряды в диодах с малыми зазорами и автоэмиссионными катодами из стеклоуглерода

Приведены результаты экспериментального исследования микроразрядов в диодах с малыми зазорами и с автоэмиссионными катодами из стеклоуглерода. Показано, что в диодах с многоострийными катодами микроразряды зарождаются и развиваются на вершинах микроострий, когда плотность тока автоэмиссии достигает критических значений в соответствии с теорией Дайка. В диодах с развитой поверхностью без микроострий плотность тока автоэлектронной эмиссии не достигает критических значений и не является причиной возникновения микроразрядов. Экспериментально установлено, что при зазорах диодного промежутка меньше 100 $\mu$m изменение давления остаточных газов от 1 $\cdot$ 10$^{-7}$ до 1 $\cdot$ 10$^{-5}$ Torr не влияет на эмиссионную способность и стабильность автоэлектронной эмиссии катодов из стеклоуглерода. Пороговая напряженность поля, при которой возникают микроразряды в диодах с катодами из стеклоуглерода, не изменяется в диапазоне давления остаточных газов от 1 $\cdot$ 10$^{-7}$ до 1 $\cdot$ 10$^{-5}$ Torr.