Электронная структура наноразмерных структур Ga$_{1-x}$Al$_x$As, созданных на поверхности GaAs методом ионной имплантации

Исследованы морфология и электронные свойства поверхности нанокристаллических фаз и нанопленок Ga$_{1-x}$Al$_x$As с толщиной 2.0 – 7.0 nm, созданных на поверхности GaAs (111), имплантированных ионами Al$^+$ в сочетании с отжигом (лазерный + температурный). Показано, что ширина запрещенной зоны $E_g$ нанокристаллической фазы Ga$_{0.5}$Al$_{0.5}$As с поверхностными размерами 25 – 30 nm составляет 2.8 – 2.9 eV.