Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2015, том 85, выпуск 12, страницы 69–73 (Mi jtf7960)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Твердое тело

Моделирование гистерезисных кривых кристаллических сегнетоэлектриков с помощью параметров управляющего электрического поля

А. Ю. Захаров, М. И. Бичурин

Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого, 173003 Великий Новгород, Россия
PDF полного текста (326 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Предложено описание процессов переключения в кристаллических сегнетоэлектриках с учетом воздействия переменного внешнего электрического поля на основе уравнений релаксационных процессов. Предположено, что вероятность переключения доменов зависит не только от мгновенного значения управляющего поля, но и от скорости его изменения. Зависимость управляющего поля от времени задается произвольной периодической функцией. Получены уравнения процессов переключения доменов в сегнетоэлектрике и найдены точные аналитические решения этих уравнений. На основе полученных решений выполнено численное исследование связи между частотой синусоидального внешнего поля и формой гистерезисных кривых. Показано, что учет зависимости времени релаксации от скорости изменения управляющего поля позволяет существенно улучшить согласие результатов моделирования гистерезисных кривых сегнетоэлектриков с экспериментальными данными.
Поступила в редакцию: 26.11.2014
Принята в печать: 07.04.2014
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2015, Volume 60, Issue 12, Pages 1803–1808
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784215120269
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ю. Захаров, М. И. Бичурин, “Моделирование гистерезисных кривых кристаллических сегнетоэлектриков с помощью параметров управляющего электрического поля”, ЖТФ, 85:12 (2015), 69–73; Tech. Phys., 60:12 (2015), 1803–1808
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZakBic15}
\by А.~Ю.~Захаров, М.~И.~Бичурин
\paper Моделирование гистерезисных кривых кристаллических сегнетоэлектриков с помощью параметров управляющего электрического поля
\jour ЖТФ
\yr 2015
\vol 85
\issue 12
\pages 69--73
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf7960}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24196268}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2015
\vol 60
\issue 12
\pages 1803--1808
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784215120269}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf7960
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v85/i12/p69
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025