|
|
Журнал технической физики, 2015, том 85, выпуск 12, страницы 146–149
(Mi jtf7972)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Краткие сообщения
Влияние имплантации ионов активных металлов на элементный и химический составы поверхности CdTe
З. Э. Мухтаровa, З. А. Исахановa, Б. Е. Умирзаковa, Т. Кодировa, Е. С. Эргашевb a Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз, 100125 Ташкент, Узбекистан
b Ташкентский государственный технический университет,
100095 Ташкент, Узбекистан
Аннотация:
Изучено влияние бомбардировки ионами Ar$^+$ и Ba$^+$ на состав и электронную структуру поверхности пленок CdTe. Определены оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для получения нанопленки типа Cd$_{0.5}$Ва$_{0.5}$Te. Установлено, что значение $E_g$ трехкомпонентной пленки при изменении ее толщины от 20 до 40 nm уменьшается от 1.9 до 1.7 eV.
Поступила в редакцию: 20.03.2015
Образец цитирования:
З. Э. Мухтаров, З. А. Исаханов, Б. Е. Умирзаков, Т. Кодиров, Е. С. Эргашев, “Влияние имплантации ионов активных металлов на элементный и химический составы поверхности CdTe”, ЖТФ, 85:12 (2015), 146–149; Tech. Phys., 60:12 (2015), 1880–1883
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf7972 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v85/i12/p146
|
|