Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2014, том 84, выпуск 1, страницы 79–85 (Mi jtf7985)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Твердотельная электроника

Исследование условий формирования массивов квантовых точек капельным методом в системе InAs/GaAs при МОС-гидридной эпитаксии

Р. Х. Акчуринa, Л. Б. Берлинерa, И. А. Богинскаяa, Е. Г. Гордеевa, Е. В. Егороваa, А. А. Мармалюкb, М. А. Ладугинb, М. А. Сурнинаa

a Московский государственный университет тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова, 119573 Москва, Россия
b ООО "Сигм Плюс", 117342 Москва, Россия
PDF полного текста (935 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Исследованы условия первого этапа формирования гетероструктур InAs/GaAs с массивами квантовых точек капельным методом. Проанализирован ряд факторов, влияющих на геометрические размеры и плотность массива наноразмерных индиевых капель, осаждаемых на подложку GaAs (100) в результате пиролиза триметилиндия, проведены экспериментальные исследования возможности использования этих факторов в условиях МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ). С целью уточнения температурной зависимости скорости испарения In проведен вычислительный эксперимент с учетом условий МОСГЭ, приближенных к реальным. Произведена расчетная оценка предельного изменения состава капель In при высокотемпературном контакте с подложкой, а также оценены толщина и состав кристаллизующегося твердого раствора в системе In–Ga–As. Показана существенная роль кристаллохимического строения поверхности подложки и технологических условий процесса осаждения на размеры и плотность массива осаждаемых капель.
Поступила в редакцию: 09.01.2013
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2014, Volume 59, Issue 1, Pages 78–84
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784214010034
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. Х. Акчурин, Л. Б. Берлинер, И. А. Богинская, Е. Г. Гордеев, Е. В. Егорова, А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, М. А. Сурнина, “Исследование условий формирования массивов квантовых точек капельным методом в системе InAs/GaAs при МОС-гидридной эпитаксии”, ЖТФ, 84:1 (2014), 79–85; Tech. Phys., 59:1 (2014), 78–84
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AkcBerBog14}
\by Р.~Х.~Акчурин, Л.~Б.~Берлинер, И.~А.~Богинская, Е.~Г.~Гордеев, Е.~В.~Егорова, А.~А.~Мармалюк, М.~А.~Ладугин, М.~А.~Сурнина
\paper Исследование условий формирования массивов квантовых точек капельным методом в системе InAs/GaAs при МОС-гидридной эпитаксии
\jour ЖТФ
\yr 2014
\vol 84
\issue 1
\pages 79--85
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf7985}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310953}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2014
\vol 59
\issue 1
\pages 78--84
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784214010034}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf7985
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v84/i1/p79
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025