Гистерезисные свойства наноструктурированных пленок тербия

В температурном интервале 2–230 K исследованы гистерезисные свойства пленок тербия, подвергнутых слоистому структурированию путем введения немагнитных прослоек Ti или Si фиксированной толщины (2 nm). Обнаружено, что варьирование толщины слоев Tb (1.5–360 nm) и материала немагнитных прослоек привело к существенным изменениям уровня и температурных проявлений магнитного гистерезиса. Установленные закономерности связаны с изменением структурного состава пленок, который формируется из нанокристаллической, гранулированной и аморфной фаз Tb.