|
|
Журнал технической физики, 2014, том 84, выпуск 4, страницы 73–79
(Mi jtf8062)
|
|
|
|
Твердотельная электроника
Управляемое внешним переменным электрическим полем поведение решеток пространственного заряда в фоторефрактивных кристаллах
Н. А. Гусак Филиал БНТУ "Институт повышения квалификации и переподготовки кадров по новым направлениям развития техники, технологии и экономики", 220107 Минск, Белоруссия
Аннотация:
Исследованы особенности поведения решеток пространственного заряда, возбуждаемых в фоторефрактивных кристаллах при наличии внешнего электрического поля, изменяющегося во времени по степенному закону. Установлена существенная зависимость картины порождаемого процесса от величины параметра, определяющего приращение внешнего поля за время, равное времени возникновения решеток заряда в отсутствие поля. Выяснено, что при малых значениях этого параметра можно осуществлять наращивание заряда, подчиняющееся закону изменения поля, вызывать режим колебания заряда с возрастанием амплитуды и поддерживать разную степень присутствия в кристалле каждой из возбуждаемых решеток. Показано, что при больших значениях параметра заряд решеток растет прямо пропорционально времени внешнего воздействия. Это позволяет осуществлять управление его полем с помощью внешнего переменного электрического поля.
Поступила в редакцию: 14.01.2013 Принята в печать: 19.08.2013
Образец цитирования:
Н. А. Гусак, “Управляемое внешним переменным электрическим полем поведение решеток пространственного заряда в фоторефрактивных кристаллах”, ЖТФ, 84:4 (2014), 73–79; Tech. Phys., 59:4 (2014), 540–545
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf8062 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v84/i4/p73
|
|