|
|
Журнал технической физики, 2014, том 84, выпуск 4, страницы 80–84
(Mi jtf8063)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
Твердотельная электроника
Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при использовании измерительной цепи с источником тока
С. А. Фефеловa, Л. П. Казаковаab, С. А. Козюхинc, К. Д. Цэндинa, Д. Арсоваd, В. Памукчиеваd a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С. М. Кирова, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, 119991 Москва, Россия
d Georgi Nadjakov Institute of Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia
Аннотация:
Сравнены традиционно используемая для исследования электрических свойств стеклообразных полупроводников измерительная цепь с генератором напряжения и альтернативный вариант, использующий генератор тока. Использование генератора тока позволило получить результаты, более полно отражающие взаимосвязь между эффектом образования памяти и изменениями электрических параметров. Выделен новый электрический параметр – $U_{\mathrm{hold}}$ (напряжение поддержки), ранее не описанный в литературе. Установлена связь $U_{\mathrm{hold}}$ с процессом формирования памяти при фазовом переходе. Обнаружен эффект возникновения колебаний в режиме ограничения тока канала проводимости в пленке.
Поступила в редакцию: 28.05.2013
Образец цитирования:
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, С. А. Козюхин, К. Д. Цэндин, Д. Арсова, В. Памукчиева, “Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при использовании измерительной цепи с источником тока”, ЖТФ, 84:4 (2014), 80–84; Tech. Phys., 59:4 (2014), 546–550
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf8063 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v84/i4/p80
|
|