Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2014, том 84, выпуск 4, страницы 80–84 (Mi jtf8063)  

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Твердотельная электроника

Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при использовании измерительной цепи с источником тока

С. А. Фефеловa, Л. П. Казаковаab, С. А. Козюхинc, К. Д. Цэндинa, Д. Арсоваd, В. Памукчиеваd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С. М. Кирова, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, 119991 Москва, Россия
d Georgi Nadjakov Institute of Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia
Аннотация: Сравнены традиционно используемая для исследования электрических свойств стеклообразных полупроводников измерительная цепь с генератором напряжения и альтернативный вариант, использующий генератор тока. Использование генератора тока позволило получить результаты, более полно отражающие взаимосвязь между эффектом образования памяти и изменениями электрических параметров. Выделен новый электрический параметр – $U_{\mathrm{hold}}$ (напряжение поддержки), ранее не описанный в литературе. Установлена связь $U_{\mathrm{hold}}$ с процессом формирования памяти при фазовом переходе. Обнаружен эффект возникновения колебаний в режиме ограничения тока канала проводимости в пленке.
Поступила в редакцию: 28.05.2013
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2014, Volume 59, Issue 4, Pages 546–550
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784214040100
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, С. А. Козюхин, К. Д. Цэндин, Д. Арсова, В. Памукчиева, “Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при использовании измерительной цепи с источником тока”, ЖТФ, 84:4 (2014), 80–84; Tech. Phys., 59:4 (2014), 546–550
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FefKazKoz14}
\by С.~А.~Фефелов, Л.~П.~Казакова, С.~А.~Козюхин, К.~Д.~Цэндин, Д.~Арсова, В.~Памукчиева
\paper Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при использовании измерительной цепи с источником тока
\jour ЖТФ
\yr 2014
\vol 84
\issue 4
\pages 80--84
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf8063}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21311032}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2014
\vol 59
\issue 4
\pages 546--550
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784214040100}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf8063
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v84/i4/p80
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025