|
|
Журнал технической физики, 2014, том 84, выпуск 6, страницы 92–97
(Mi jtf8117)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Твердотельная электроника
Темновые вольт-амперные характеристики трехпереходных солнечных элементов: связь с эффективностью и влияние пассивирующих обработок
Н. М. Лебедева, А. А. Усикова, В. В. Евстропов, М. В. Лебедев, В. П. Улин, В. М. Лантратов, В. М. Андреев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Исследована корреляция между главным параметром солнечного элемента – эффективностью (кпд) и его темновой вольт-амперной характеристикой. Выведено соотношение, выражающее приращение (уменьшение) эффективности через уменьшение (приращение) тока, измеряемого при заданном напряжении (2.4 V в настоящей работе). На базе полученных зависимостей протестировано 6 методов пассивации боковой поверхности трехпереходных InGaP/GaAs/Ge гетероструктур, выращенных методом металл-органической газофазной эпитаксии, с целью определить их воздействие на изменение темновой вольт-амперной характеристики. Показано, что влияние на кпд различных факторов (постростовых операций, повреждающих излучений и др.) устанавливается путем измерения изменений темновой вольт-амперной характеристики солнечных элементов.
Поступила в редакцию: 16.10.2013
Образец цитирования:
Н. М. Лебедева, А. А. Усикова, В. В. Евстропов, М. В. Лебедев, В. П. Улин, В. М. Лантратов, В. М. Андреев, “Темновые вольт-амперные характеристики трехпереходных солнечных элементов: связь с эффективностью и влияние пассивирующих обработок”, ЖТФ, 84:6 (2014), 92–97; Tech. Phys., 59:6 (2014), 879–883
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf8117 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v84/i6/p92
|
|