Анизотропия магнетосопротивления пленок La$_{0.67}$Ba$_{0.33}$MO$_3$, латерально сжатых подложкой из галата неодима

Рассогласование в параметрах кристаллических решеток индуцировало двуосное латеральное сжатие пленок (35 nm) La$_{0.67}$Ba$_{0.33}$MO$_3$, выращенных когерентно на подложках из галлата неодима. Механические напряжения, возникшие в процессе зародышеобразования и роста манганитного слоя, способствовали обеднению последнего щелочно-земельным элементом. Это привело к уменьшению объема элементарной ячейки выращенных пленок и к понижению температуры $T_M$, при которой их электросопротивление достигало максимальной величины. Экстремальные значения отрицательного магнетосопротивления ($MR\approx$ 17% при $\mu_0H$ = 1 T) выращенных пленок наблюдались при температурах, близких к комнатной. При $T<T_M$ отклик электросопротивления пленок на магнитное поле зависел от направления последнего относительно нормали к плоскости подложки и относительно направления измерительного тока. При $T$ = 95 K рассеяние дырок на 90$^\circ$ доменных стенках приводило к увеличению электросопротивления манганитных пленок примерно на 1.1%, а отрицательное анизотропное магнетосопротивление достигало 1.5%.