Применение низкобарьерных структур металл–полупроводник–металл для детектирования микроволновых сигналов

Предложены новые конструкции чувствительных элементов на основе несимметричных низкобарьерных структур металл–полупроводник–металл, предназначенные для регистрации сигналов сверхвысокочастотного или терагерцового частотных диапазонов. Рассмотрена вертикальная структура с отличающимися высотами барьеров двух переходов металл–полупроводник и планарная структура с отличающимися площадями переходов. Показано, что характеристики чувствительного элемента на основе вертикальной структуры превосходят аналогичные характеристики детекторного низкобарьерного диода Мотта. Планарный чувствительный элемент имеет сравнимые с диодом характеристики по чувствительности, но проще в изготовлении. Рассчитаны характеристики детектора на основе планарной низкобарьерной структуры, включенной в широкополосную антенну. Определены достижимые значения чувствительности в полосе 1 THz.