|
|
Журнал технической физики, 2014, том 84, выпуск 7, страницы 152–155
(Mi jtf8155)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Краткие сообщения
Магнетронное осаждение тонких пленок Cu(200) на подложки Ni(200)/SiO$_2$/Si
А. С. Джумалиев, Ю. В. Никулин, Ю. А. Филимонов Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 410019 Саратов, Россия
Аннотация:
Экспериментально показана возможность ориентированного роста тонких пленок меди с текстурой (200) на подложке SiO$_2$/Si методом магнетронного распыления в условиях среднего вакуума, когда в качестве ориентирующего подслоя выступает предварительно осажденная пленка никеля с текстурой (200).
Поступила в редакцию: 19.12.2013
Образец цитирования:
А. С. Джумалиев, Ю. В. Никулин, Ю. А. Филимонов, “Магнетронное осаждение тонких пленок Cu(200) на подложки Ni(200)/SiO$_2$/Si”, ЖТФ, 84:7 (2014), 152–155; Tech. Phys., 59:7 (2014), 1097–1100
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf8155 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v84/i7/p152
|
|