Использование маски из хрома для плазмохимического травления слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$N

Изучено влияние материала маски для формирования мезо-структур на основе нитрида галлия для выбранного режима плазмохимического травления в среде BCl$_3$ : Ar : N$_2$. Показано, что двухслойная маска SiO$_2$/Cr, в которой толщина слоя хрома в 6–7 раз меньше заданной глубины травления, эффективно защищает поверхность и позволяет формировать структуры с гладкой поверхностью при травлении на глубину до 2.5 $\mu$m. Наклон боковых стенок при формировании маски методом прямой фотолитографии не превышает 10$^\circ$ и уменьшается при использовании для этой цели взрывной фотолитографии.