|
|
Журнал технической физики, 2014, том 84, выпуск 9, страницы 107–112
(Mi jtf8200)
|
|
|
|
Твердотельная электроника
Аналитическая модель дрейфа и диффузии носителей заряда в органических светодиодах при наличии объемного заряда
В. Р. Никитенко, H. A. Санникова, М. Н. Стриханов Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
Аннотация:
Предложена сравнительно простая аналитическая модель для расчета вольт-амперных характеристик для монополярного режима транспорта заряда в тонких слоях неупорядоченных органических материалов, которая учитывает энергетический беспорядок и эффекты объемного заряда. Определена зависимость минимальной высоты энергетического барьера для инжекции, при которой можно пренебречь эффектами объемного заряда, в зависимости от толщины слоя и ширины гауссова энергетического распределения.
Поступила в редакцию: 19.07.2013
Образец цитирования:
В. Р. Никитенко, H. A. Санникова, М. Н. Стриханов, “Аналитическая модель дрейфа и диффузии носителей заряда в органических светодиодах при наличии объемного заряда”, ЖТФ, 84:9 (2014), 107–112; Tech. Phys., 59:9 (2014), 1368–1373
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf8200 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v84/i9/p107
|
|