Особенности усиления и гашения фотопроводимости в гетероструктурах Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Mn$_4$Si$_7$ и Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–M

Исследованы особенности усиления и гашения фотопроводимости в гетероструктурах Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Mn$_4$Si$_7$ и Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–M. Показано, что при низких температурах высокоомная базовая область структур BCM-Si$\langle$Mn$\rangle$-ВСМ или BCM-Si$\langle$Mn$\rangle$-М при освещении собственным светом становится низкоомным проводящим слоем к переходной $i$-области структур.
Выяснен механизм усиления фотопроводимости (ФП) в гетероструктурах вызванной ударной ионизации в $i$-области. Дано объяснение резкому гашению ФП в области температур 180–220 K.