Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2014, том 84, выпуск 12, страницы 102–106 (Mi jtf8286)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Оптика

Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом

М. В. Дорохинa, Е. И. Малышеваa, Б. Н. Звонковa, А. В. Здоровейщевa, Ю. А. Даниловa, Д. Е. Николичевb, А. В. Боряковb, С. Ю. Зубковb

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур" Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (168 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Исследована циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов на основе гетероструктур GaMnAs/$n^{++}$GaAs/$n$-GaAs/InGaAs/$p$-GaAs. Зависимость степени циркулярной поляризации от магнитного поля может быть описана петлей гистерезиса, что связывается с инжекцией спин-поляризованных электронов из намагниченного GaMnAs. Эффект наблюдается в диапазоне температур 10–90 K.
Поступила в редакцию: 21.09.2013
Принята в печать: 08.04.2014
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2014, Volume 59, Issue 12, Pages 1839–1843
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784214120056
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, Д. Е. Николичев, А. В. Боряков, С. Ю. Зубков, “Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом”, ЖТФ, 84:12 (2014), 102–106; Tech. Phys., 59:12 (2014), 1839–1843
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DorMalZvo14}
\by М.~В.~Дорохин, Е.~И.~Малышева, Б.~Н.~Звонков, А.~В.~Здоровейщев, Ю.~А.~Данилов, Д.~Е.~Николичев, А.~В.~Боряков, С.~Ю.~Зубков
\paper Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом
\jour ЖТФ
\yr 2014
\vol 84
\issue 12
\pages 102--106
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf8286}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22019518}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2014
\vol 59
\issue 12
\pages 1839--1843
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784214120056}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf8286
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v84/i12/p102
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025