Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2013, том 83, выпуск 5, страницы 115–124 (Mi jtf8439)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Физика низкоразмерных структур

Распыление поверхности мишени ионами Cs$^+$: стационарная концентрация имплантированного цезия и эмиссия кластеров CsM$^+$

Ю. Кудрявцевa, R. Asomozaa, M. Mansurovab, L. Perezb, В. М. Корольc

a Секция твердотельной электроники Центра исследований и передового обучения, Национального политехнического института, 07360 Мехико, Мексика
b Физический институт, Независимый национальный университет, А.Р. 20–364, 01000 Мехико, Мексика
c Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, 344090 Ростов-на-Дону, Россия
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование изменения работы выхода поверхности полупроводников Si и GaAs при облучении ионами цезия. Рассмотрен механизм образования кластерных ионов CsM$^+$ (где M – анализируемый элемент). Рассчитаны потенциалы ионизации некоторых молекул CsM и предложена простая экспериментальная методика по определению поверхностной концентрации цезия, имплантированного в приповерхностную область различных материалов в процессе их распыления ионами цезия. Методика основана на использовании предварительно имплантированного в анализируемый образец калия как “внутреннего стандарта”.
Поступила в редакцию: 28.05.2012
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2013, Volume 58, Issue 5, Pages 735–743
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784213050125
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Кудрявцев, R. Asomoza, M. Mansurova, L. Perez, В. М. Король, “Распыление поверхности мишени ионами Cs$^+$: стационарная концентрация имплантированного цезия и эмиссия кластеров CsM$^+$”, ЖТФ, 83:5 (2013), 115–124; Tech. Phys., 58:5 (2013), 735–743
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KudAsoMan13}
\by Ю.~Кудрявцев, R.~Asomoza, M.~Mansurova, L.~Perez, В.~М.~Король
\paper Распыление поверхности мишени ионами Cs$^+$: стационарная концентрация имплантированного цезия и эмиссия кластеров CsM$^+$
\jour ЖТФ
\yr 2013
\vol 83
\issue 5
\pages 115--124
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf8439}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20325887}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2013
\vol 58
\issue 5
\pages 735--743
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784213050125}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf8439
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v83/i5/p115
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025