|
|
Журнал технической физики, 2013, том 83, выпуск 5, страницы 115–124
(Mi jtf8439)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Физика низкоразмерных структур
Распыление поверхности мишени ионами Cs$^+$: стационарная концентрация имплантированного цезия и эмиссия кластеров CsM$^+$
Ю. Кудрявцевa, R. Asomozaa, M. Mansurovab, L. Perezb, В. М. Корольc a Секция твердотельной электроники Центра исследований и передового обучения,
Национального политехнического института,
07360 Мехико, Мексика
b Физический институт, Независимый национальный университет, А.Р. 20–364, 01000 Мехико, Мексика
c Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, 344090 Ростов-на-Дону, Россия
Аннотация:
Проведено экспериментальное исследование изменения работы выхода поверхности полупроводников Si и GaAs при облучении ионами цезия. Рассмотрен механизм образования кластерных ионов CsM$^+$ (где M – анализируемый элемент). Рассчитаны потенциалы ионизации некоторых молекул CsM и предложена простая экспериментальная методика по определению поверхностной концентрации цезия, имплантированного в приповерхностную область различных материалов в процессе их распыления ионами цезия. Методика основана на использовании предварительно имплантированного в анализируемый образец калия как “внутреннего стандарта”.
Поступила в редакцию: 28.05.2012
Образец цитирования:
Ю. Кудрявцев, R. Asomoza, M. Mansurova, L. Perez, В. М. Король, “Распыление поверхности мишени ионами Cs$^+$: стационарная концентрация имплантированного цезия и эмиссия кластеров CsM$^+$”, ЖТФ, 83:5 (2013), 115–124; Tech. Phys., 58:5 (2013), 735–743
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf8439 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v83/i5/p115
|
|