|
|
Журнал технической физики, 2013, том 83, выпуск 6, страницы 66–70
(Mi jtf8458)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)
Физическая электроника
Электронная спектроскопия наноструктур, созданных в поверхностных слоях Si, GaAs и CaF$_2$ методом низкоэнергетической ионной имплантации
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, Д. М. Муродкабилов, Х. Х. Болтаев Ташкентский государственный технический университет,
100095 Ташкент, Узбекистан
Аннотация:
Приводится обзор экспериментальных результатов исследований поверхностных слоев Si, GaAs, CaF$_2$, созданных методом низкоэнергетической ионной имплантации. Исследования проведены методами фото- и оже-электронной спектроскопии и микроскопии.
Поступила в редакцию: 31.10.2012
Образец цитирования:
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, Д. М. Муродкабилов, Х. Х. Болтаев, “Электронная спектроскопия наноструктур, созданных в поверхностных слоях Si, GaAs и CaF$_2$ методом низкоэнергетической ионной имплантации”, ЖТФ, 83:6 (2013), 66–70
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf8458 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v83/i6/p66
|
|