Формирование интерфейса Сo/Si(110): фазовый состав и магнитные свойства

Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения, а также магнитного линейного дихроизма в фотоэмиссии остовных электронов исследовано формирование интерфейса Сo/Si(110)16 $\times$ 2 и его магнитные свойства. Показано, что при покрытиях менее 7 $\mathring{\mathrm{A}}$ нанесение кобальта на поверхность кремния, находящуюся при комнатной температуре, приводит к образованию сверхтонкого (1.7 $\mathring{\mathrm{A}}$) слоя интерфейсного силицида кобальта и пленки твердого раствора кремния в кобальте. Ферромагнитное упорядочение интерфейса возникает при дозе напыления, равной 6–7 $\mathring{\mathrm{A}}$, когда на слое твердого раствора начинает расти пленка металлического кобальта. Отжиг образца, покрытого пленкой Со нанометровой толщины, приводит при температурах выше $\sim$ 300$^\circ$C к постепенному исчезновению пленки металла и формированию четырех силицидных фаз – метастабильного ферромагнитного силицида Co$_3$Si и трех стабильных немагнитных силицидов кобальта – Co$_2$Si, CoSi и CoSi$_2$.