Механизм насыщения фототока и возникновения отрицательной дифференциальной фотопроводимости в гетеропереходах Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Мn$_4$Si$_7$ и Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–М

Работа посвящена установлению механизма насыщения фототока и возникновению отрицательной дифференциальной фотопроводимости (ФП) в гетеропереходах Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Мn$_4$Si$_7$ и Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–М. Структуры Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Мn$_4$Si$_7$ и Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–М исследованы с помощью модели встречно-включенных диодов. Измерены фотовольтамперные характеристики (ФВАХ) при постоянном и импульсном режимах высокого приложенного напряжения смещения. Установлено, что в гетеропереходах нелинейные особенности ФВАХ и кинетики ФП связаны с тепловым гашением фотопроводимости за счет самонагрева джоулевым теплом.