Влияние состояния обогащенной стронцием межкристаллитной кластерной сетки на электропроводность керамики In$_2$O$_3$-SrO

В поликристаллических образцах In$_2$O$_3$-SrO выявлена метастабильная гексагональная $R$-фаза в виде сетки из кластеров мезоскопического масштаба (60–180 $\mathring{\mathrm{A}}$), образовавшихся на основе обогащенных стронцием приграничных областей основной кубической структуры оксида индия. Показано, что отжиг в кислороде ($T_a\ge$ 300$^\circ$C) приводит к насыщению оборванных связей кластеров $R$-фазы с матрицей и формированию метастабильного состояния системы, проявляющего себя присутствием единичных диффузных максимумов $R$-фазы наряду с дебаевскими линиями основной фазы на рентгеновской дифракционной картине, а также наличием линии ЭПР-спектра с $g$ = 1.875 и переходом образца в высокоомное состояние, $\rho\sim 10^6 \Omega$ $\cdot$ cm. Релаксация (при $T\le$ 300$^\circ$C) после отжига при $T_a\ge$ 300$^\circ$C сопровождается разрывом связей обогащенных стронцием кластеров $R$-фазы с матрицей на основе оксида индия, а следовательно, пространственным обособлением кластеров с нарушением их когерентной связи с матричной структурой и уходом избыточного кислорода из образца по межкристаллитным границам с формированием нового стабильного состояния системы, характеризуемого серией диффузных максимумов $R$-фазы наряду с линиями основной фазы, появлением линии ЭПР с $g$ = 2 при сохранении линии с $g$ = 1.875 и переходом образца в низкоомное состояние, $\rho\sim 10^6 \Omega$ $\cdot$ cm.