|
|
Журнал технической физики, 2013, том 83, выпуск 9, страницы 73–83
(Mi jtf8538)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Твердотельная электроника
Кристаллизация и термохромизм в отожженных гетероструктурах, содержащих пленки оксидов титана и вольфрама
В. И. Шаповаловa, А. Е. Лапшинb, А. Е. Комлевa, М. Ю. Арсентьевb, А. А. Комлевa a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197238, Санкт-Петербург, Россия
b Институт химии силикатов имени И. В. Гребенщикова РАН, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Приведены результаты исследования кристаллических фаз в гетероструктурах, содержащих пленки оксидов титана и вольфрама, после ступенчатого отжига в вакууме и на воздухе в диапазоне температур 500–750$^\circ$C. Пленки были осаждены на подложку из кварцевого стекла методом реактивного магнетронного распыления на постоянном токе. Установлено, что формирование кристаллических фаз в одиночных пленках и двухслойных структурах протекает различным образом. В двухслойных структурах на кристаллизацию оказывает влияние порядок расположения слоев на подложке. Термохромизм в структурах, отожженных в вакууме, обусловлен дефектной по кислороду фазой WO$_{3-x}$, относящейся к гексагональной сингонии, которая интенсивно развивается при повышении температуры от 650 до 750$^\circ$C.
Поступила в редакцию: 15.05.2012
Образец цитирования:
В. И. Шаповалов, А. Е. Лапшин, А. Е. Комлев, М. Ю. Арсентьев, А. А. Комлев, “Кристаллизация и термохромизм в отожженных гетероструктурах, содержащих пленки оксидов титана и вольфрама”, ЖТФ, 83:9 (2013), 73–83; Tech. Phys., 58:9 (2013), 1313–1322
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf8538 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v83/i9/p73
|
|