Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2013, том 83, выпуск 11, страницы 78–85 (Mi jtf8617)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Твердотельная электроника

Моделирование изменения характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H в течение светового дня

Ю. В. Крюченкоa, А. В. Саченкоa, А. В. Бобыльb, В. П. Костылевa, И. О. Соколовскийa, Е. И. Теруковbc, В. Н. Вербицкийb, Ю. А. Николаевbc

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург
PDF полного текста (280 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Проведено теоретическое моделирование временных зависимостей ключевых характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H в течение светового дня. Модель позволила рассчитать временные зависимости для произвольной географической широты в пределах от 30 до 60$^\circ$ и для произвольного дня в году. Проиллюстрированы результаты расчетов для географической широты 45$^\circ$ в день равноденствия. Полученные результаты для относительных изменений характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H с достаточно хорошей точностью справедливы и для солнечных элементов на основе других полупроводников, если их КПД находится в диапазоне от 7 до 20%.
Поступила в редакцию: 05.12.2012
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2013, Volume 58, Issue 11, Pages 1625–1631
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378421311011X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. В. Крюченко, А. В. Саченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, Е. И. Теруков, В. Н. Вербицкий, Ю. А. Николаев, “Моделирование изменения характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H в течение светового дня”, ЖТФ, 83:11 (2013), 78–85; Tech. Phys., 58:11 (2013), 1625–1631
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KrySacBob13}
\by Ю.~В.~Крюченко, А.~В.~Саченко, А.~В.~Бобыль, В.~П.~Костылев, И.~О.~Соколовский, Е.~И.~Теруков, В.~Н.~Вербицкий, Ю.~А.~Николаев
\paper Моделирование изменения характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H в течение светового дня
\jour ЖТФ
\yr 2013
\vol 83
\issue 11
\pages 78--85
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf8617}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20326043}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2013
\vol 58
\issue 11
\pages 1625--1631
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378421311011X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf8617
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v83/i11/p78
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025