|
|
Журнал технической физики, 2013, том 83, выпуск 11, страницы 86–91
(Mi jtf8618)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Твердотельная электроника
Годовые зависимости генерируемой мощности и электроэнергии для солнечных элементов на основе $a$-Si:H
Ю. В. Крюченкоa, А. В. Саченкоa, А. В. Бобыльb, В. П. Костылевa, И. О. Соколовскийa, Е. И. Теруковbc, В. Н. Вербицкийb, Ю. А. Николаевbc a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург
Аннотация:
Для солнечных элементов (СЭ) на основе $a$-Si:H рассчитаны годовые зависимости мощностей и энергий, генерируемых единицей площади CЭ на широтах 45$^\circ$N, 50$^\circ$N, 55$^\circ$N, 60$^\circ$N и в конкретных географических пунктах России. Нормировка этих зависимостей позволяет получить представление о соответствующих годовых зависимостях для CЭ на основе других полупроводников. В совокупности с данными о среднем числе солнечных дней в году (или о суммарной продолжительности солнечного сияния за год) для конкретных районов России это позволяет, в частности, судить о перспективности этих районов для строительства солнечных электростанций. В результате определены регионы России, для которых превышение над усредненными величинами электроэнергии, производимой солнечными электростанциями, может доходить до 24%.
Поступила в редакцию: 30.01.2013
Образец цитирования:
Ю. В. Крюченко, А. В. Саченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, Е. И. Теруков, В. Н. Вербицкий, Ю. А. Николаев, “Годовые зависимости генерируемой мощности и электроэнергии для солнечных элементов на основе $a$-Si:H”, ЖТФ, 83:11 (2013), 86–91; Tech. Phys., 58:11 (2013), 1632–1637
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf8618 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v83/i11/p86
|
|