Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2013, том 83, выпуск 12, страницы 119–127 (Mi jtf8647)  

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Физическая электроника

Особенности структуры приэлектродных диссоциационно-рекомбинационных заряженных слоев при разных уровнях низковольтной проводимости слабопроводящей жидкости

Ю. К. Стишков, В. А. Чирков

Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация: Проведено компьютерное моделирование процессов токопрохождения сквозь слабопроводящие жидкости в системе электродов с сильнонеоднородным распределением напряженности электрического поля при напряжениях ниже и выше порога возникновения электрогидродинамических течений. Рассмотрена структура приэлектродных диссоциационно-рекомбинационных слоев в двух моделях зарядообразования – с постоянной диссоциацией в объеме, но без инжекции и одновременно с инжекцией с электрода и с постоянной диссоциацией в объеме. Проанализирована смена полярности приэлектродного заряженного слоя при повышении напряжения и при изменении уровня низковольтной проводимости жидкости. В рамках единой математической модели получены два типа электрогидродинамических течений, возникающих в реальных электрогидродинамических устройствах и имеющих противоположное направление.
Поступила в редакцию: 28.01.2013
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2013, Volume 58, Issue 12, Pages 1822–1830
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784213120232
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. К. Стишков, В. А. Чирков, “Особенности структуры приэлектродных диссоциационно-рекомбинационных заряженных слоев при разных уровнях низковольтной проводимости слабопроводящей жидкости”, ЖТФ, 83:12 (2013), 119–127; Tech. Phys., 58:12 (2013), 1822–1830
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{StiChi13}
\by Ю.~К.~Стишков, В.~А.~Чирков
\paper Особенности структуры приэлектродных диссоциационно-рекомбинационных заряженных слоев при разных уровнях низковольтной проводимости слабопроводящей жидкости
\jour ЖТФ
\yr 2013
\vol 83
\issue 12
\pages 119--127
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf8647}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20326073}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2013
\vol 58
\issue 12
\pages 1822--1830
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784213120232}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf8647
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v83/i12/p119
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025