Электрические и электролюминесцентные свойста светодиодов $\lambda$ = 3.85–3.95 $\mu$m на основе InAsSb в интервале температур 20–200$^\circ$C

Приведены результаты исследоания зависимости электрических и электролюминесцентных свойств светодиодов на основе гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAsSbP ($\lambda\approx$ 3.8–4 $\mu$m) от температуры (20–200$^\circ$C). Показано, что уменьшение мощности излучения с увеличением температуры носит сверхэкспоненциальный характер и обусловлено, главным образом, ростом скорости оже-рекомбинации. Изменение положения максимума спектра излучения с температурой носит немонотонный характер, поскольку наблюдается излучательная рекомбинация как в активной области, так и в широкозонном слое. При комнатной температуре протекание тока через гетероструктуру определяется туннельным механизмом независимо от полярности приложенного напряжения. С увеличением температуры при прямом смещении проявляется термическая эмиссия носителей заряда, а при обратном – растет роль диффузионного тока.