Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2012, том 82, выпуск 2, страницы 24–30 (Mi jtf8746)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Газовый разряд, плазма

Кольцевой ионный диод с магнитной самоизоляцией

А. И. Пушкарев, Ю. И. Исакова

Национальный исследовательский Томский политехнический университет, 634050 Томск, Россия
Аннотация: Представлены результаты исследования процесса генерации импульсного ионного пучка гигаватной мощности, формируемого диодом с взрывоэмиссионным потенциальным электродом в режиме магнитной самоизоляции. Исследования проведены на ускорителе ТЕМП-4М в режиме формирования двух импульсов – первый отрицательный (300–500 ns, 100–150 kV) и второй положительный (150 ns, 250–300 kV). Плотность ионного тока 20–40 A/cm$^2$, состав пучка – протоны и ионы углерода. Для увеличения эффективности генерации ионного тока предложена кольцевая геометрия диода. Показано, что в диоде новой конструкции происходит эффективное плазмообразование на всей рабочей поверхности графитового потенциального электрода. В течение генерации ионного пучка выполняется условие магнитной отсечки электронов по всей длине диода ($B/B_{\mathrm{cr}}\ge$ 3). Но из-за высокой скорости дрейфа время нахождения электронов в анод-катодном зазоре составляет 3–5 ns, а время ускорения ионов углерода C$^+$ превышает 8 ns. Это указывает на низкую эффективность магнитной изоляции в диоде выбранной конструкции. В то же время экспериментально обнаружено, что в течение генерации ионного тока (второй импульс) происходит подавление электронной компоненты полного тока в 4–5 раз. Предложен новый механизм ограничения эмиссии электронов, объясняющий процесс снижения величины электронной компоненты полного тока в кольцевом диоде с магнитной самоизоляцией.
Поступила в редакцию: 05.04.2011
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2012, Volume 57, Issue 2, Pages 181–187
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784212020211
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Пушкарев, Ю. И. Исакова, “Кольцевой ионный диод с магнитной самоизоляцией”, ЖТФ, 82:2 (2012), 24–30; Tech. Phys., 57:2 (2012), 181–187
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PusIsa12}
\by А.~И.~Пушкарев, Ю.~И.~Исакова
\paper Кольцевой ионный диод с магнитной самоизоляцией
\jour ЖТФ
\yr 2012
\vol 82
\issue 2
\pages 24--30
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf8746}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20325456}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2012
\vol 57
\issue 2
\pages 181--187
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784212020211}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf8746
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v82/i2/p24
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025