Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2012, том 82, выпуск 2, страницы 73–78 (Mi jtf8755)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Радиофизика

Индуцированное поле электромагнитного вибратора, расположенного над помещенным в сверхвысокочастотный пучок проводящим экраном

Л. П. Грачев, И. И. Есаков, П. Б. Лавров, А. А. Раваев

Московский радиотехнический институт РАН, 117519 Москва, Россия
Аннотация: Приведены результаты расчетов индуцированного поля цилиндрического электромагнитного вибратора со сферически закругленными концами. Вибратор располагался над плоским экраном, помещенным в линейно поляризованный квазиоптический сверхвысокочастотный пучок. Плоскость экрана перпендикулярна вектору Пойнтинга излучения. Ось вибратора параллельна вектору возбуждающей его электрической компоненты поля. В расчетах при неизменном диаметре вибратора и уровне исходного поля варьируются длина вибратора и его расстояние до экрана. В результате подтверждено, что индуцированное поле вибратора с длиной, близкой половине длины волны поля, максимально у концов вибратора, а зависимость его величины от длины вибратора имеет резонансный характер. В расчетах получены данные о степени укорочения “полуволнового” вибратора, обеспечивающей максимальный уровень индуцированного поля. Численное моделирование дало и в определенной степени неочевидный результат. Оно выявило, что величина индуцированного поля резонансного полуволнового вибратора существенно возрастает при его приближении к экрану на расстояния, меньшие четверти длины волны поля. При этом растет добротность характеризующего вибратор эквивалентного электромагнитного колебательного контура, а само индуцированное поле все в большей степени локализуется между обращенной к экрану поверхностью концов вибратора и экраном. Выполненные натурные эксперименты качественно подтвердили теоретические выводы. Полученные результаты позволяют существенно расширить возможный диапазон применения электромагнитных вибраторов в качестве инициаторов электрического пробоя газов высокого давления для зажигания сверхвысокочастотных разрядов в квазиоптических пучках с малым уровнем исходного поля.
Поступила в редакцию: 11.01.2011
Принята в печать: 09.06.2011
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2012, Volume 57, Issue 2, Pages 230–235
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784212020077
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. П. Грачев, И. И. Есаков, П. Б. Лавров, А. А. Раваев, “Индуцированное поле электромагнитного вибратора, расположенного над помещенным в сверхвысокочастотный пучок проводящим экраном”, ЖТФ, 82:2 (2012), 73–78; Tech. Phys., 57:2 (2012), 230–235
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GraEsaLav12}
\by Л.~П.~Грачев, И.~И.~Есаков, П.~Б.~Лавров, А.~А.~Раваев
\paper Индуцированное поле электромагнитного вибратора, расположенного над помещенным в сверхвысокочастотный пучок проводящим экраном
\jour ЖТФ
\yr 2012
\vol 82
\issue 2
\pages 73--78
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf8755}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20325465}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2012
\vol 57
\issue 2
\pages 230--235
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784212020077}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf8755
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v82/i2/p73
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025