Угловое распределение атомов при магнетронном распылении поликристаллических мишеней

Представлены результаты измерений угловых распределений атомов при DC-магнетронном распылении поликристаллов Mg, Al, Cu, Ag, Ta, Pt, Au, Ti, Cr, Zn, Zr и Nb ионами Ar с энергией, не превышающей 0.5 keV. Предложена феноменологическая аппроксимация угловых распределений и найдены подгоночные параметры для каждого из рассмотренных элементов. С помощью компьютерного моделирования распыления, основанного на приближении парных столкновений, определен коэффициент пропорциональности между напряжением магнетронного разряда и средней энергией распыляющих ионов, а также потенциалы межатомного взаимодействия, дающие наиболее точное описание экспериментальных данных. Показано, что полуширина углового распределения, так же как и коэффициент распыления, имеет периодическую зависимость от атомного номера мишени Z$_2$, причем материалы с наибольшими коэффициентами распыления имеют наиболее узкое распределение распыленных атомов.