Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2012, том 82, выпуск 4, страницы 90–98 (Mi jtf8798)  

Эта публикация цитируется в 21 научных статьях (всего в 21 статьях)

Поверхность, электронная и ионная эмиссия

Влияние условий импульсного лазерного осаждения на трибологические свойства тонкопленочных наноструктурированных покрытий на основе диселенида молибдена и углерода

В. Ю. Фоминскийa, С. Н. Григорьевb, Р. И. Романовa, В. Н. Неволинc

a Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
b Московский станкоинструментальный институт "Станкин", 127994, Москва, Россия
c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
Аннотация: Исследованы структурное состояние и трибологические свойства градиентных и композитных антифрикционных покрытий, полученных методом импульсного лазерного соосаждения из двух мишеней MoSe$_2$(Ni) и графита. Покрытия наносились на стальные подложки в вакууме и в инертном газе, в том числе с применением противокапельного экрана, предотвращающего напыление из лазерного факела на покрытие частиц микронных размеров. Осаждение лазерного факела из графитовой мишени и приложение отрицательного потенциала к подложке обеспечивали дополнительную бомбардировку создаваемых покрытий высокоскоростными атомами. В результате сравнительных трибо-испытаний на воздухе с относительной влажностью $\sim$50% установлено, что “бескапельное” осаждение лазерно-инициированного атомарного потока в тени экрана позволяло заметно улучшить антифрикционные свойства покрытий MoSe$_x$, снижая коэффициент трения от 0.07 до 0.04. Однако наилучшие трибохарактеристики, сочетающие низкий коэффициент трения и повышенную износостойкость, обнаружены в условиях дополнительного легирования “бескапельных” покрытий MoSe$_x$ углеродом (до $\sim$55 at.%) и эффективной бомбардировки осаждаемых слоев высокоскоростными атомами. В таких условиях формировалась плотная нанокомпозитная структура, содержащая самосмазывающуюся MoSe$_2$-фазу и аморфную углеродную фазу с достаточно высокой концентрацией алмазных связей.
Поступила в редакцию: 29.03.2011
Принята в печать: 09.08.2011
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2012, Volume 57, Issue 4, Pages 516–523
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784212040081
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Ю. Фоминский, С. Н. Григорьев, Р. И. Романов, В. Н. Неволин, “Влияние условий импульсного лазерного осаждения на трибологические свойства тонкопленочных наноструктурированных покрытий на основе диселенида молибдена и углерода”, ЖТФ, 82:4 (2012), 90–98; Tech. Phys., 57:4 (2012), 516–523
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FomGriRom12}
\by В.~Ю.~Фоминский, С.~Н.~Григорьев, Р.~И.~Романов, В.~Н.~Неволин
\paper Влияние условий импульсного лазерного осаждения на трибологические свойства тонкопленочных наноструктурированных покрытий на основе диселенида молибдена и углерода
\jour ЖТФ
\yr 2012
\vol 82
\issue 4
\pages 90--98
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf8798}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20325548}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2012
\vol 57
\issue 4
\pages 516--523
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784212040081}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf8798
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v82/i4/p90
  • Эта публикация цитируется в следующих 21 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025