|
|
Журнал технической физики, 2012, том 82, выпуск 4, страницы 144–146
(Mi jtf8806)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Краткие сообщения
Воздействие импульсного магнитного поля на галогенсеребряный фотографический процесс
Д. Р. Фролов, А. П. Бойченко Кубанский государственный университет, 350040 Краснодар, Россия
Аннотация:
На примере галогенсеребряных фотографических материалов отечественного и зарубежного производства исследовано воздействие импульсного магнитного поля на формирование изображений при их световой и газоразрядной экспозиции. Показано, что одиночный импульс поля напряженностью 4.2 kOe и длительностью 0.12 s, синхронизированный со световой вспышкой существенно повышает светочувствительность фотоматериалов и не влияет на нее до световой экспозиции. Предварительное воздействие на свежеизготовленные фотоматериалы серии из 250 импульсов магнитного поля с указанными характеристиками приводит к уменьшению их газоразрядной чувствительности, а у состарившихся в течение 8 лет – к ее увеличению.
Поступила в редакцию: 18.08.2011
Образец цитирования:
Д. Р. Фролов, А. П. Бойченко, “Воздействие импульсного магнитного поля на галогенсеребряный фотографический процесс”, ЖТФ, 82:4 (2012), 144–146; Tech. Phys., 57:4 (2012), 569–571
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf8806 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v82/i4/p144
|
|