|
|
Журнал технической физики, 2012, том 82, выпуск 6, страницы 106–114
(Mi jtf8851)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)
Поверхность, электронная и ионная эмиссия
Анализ свойств и структура оксидированых покрытий, полученных на Al–Cu- и Al–Mg-сплавах
А. Д. Погребнякab, М. К. Кылышкановc, Ю. Н. Тюринd, А. Ш. Каверинаb, И. В. Якущенкоb, А. А. Борисенкоb, Б. А. Постольныйb, И. А. Куликb a Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины
b Сумский государственный университет, Сумский институт модификации поверхности, 40007, Сумы, Украина
c Восточно-Казахстанский государственный технический университет,
070000, Усть-Каменогорск, Казахстан
d Институт электросварки им. Е. О. Патона НАН Украины, 03680,Киев, Украина
Аннотация:
Представлены результаты новых исследований по созданию защитных оксидных покрытий на основе Al$_2$O$_3$ (Si, Mn) на сплавах алюминия с помощью электролитно-плазменного оксидирования. Анализ проводился с помощью растровой электронной микроскопии SEM с EDS (энергодисперсным микроанализом), а также рентгенофазового анализа (XRD), Резерфордовского обратного рассеяния ионов (RBS) $^4$He$^+$ и протонов, применения наноиндентора и тестов на износ, определения коэффициента трения и акустической эмиссии. Результаты показали, что формируются покрытия хорошего качества с высокой твердостью и стойкостью к износу, а также малой температуропроводностью. Обнаружено, что наряду с Al$_2$O$_3$ в покрытии находятся Si, Mn, C и Ca. Определена стехиометрия данного покрытия. Плотность и твердость покрытия близка по значениям к таковым у $\alpha$-фазы Al$_2$O$_3$ в покрытии на подложке Al–Cu (D-16), а на покрытии, осажденном на подложке Al–Mg (S006), эти величины в 1.5 раза меньше.
Поступила в редакцию: 21.04.2011 Принята в печать: 05.08.2011
Образец цитирования:
А. Д. Погребняк, М. К. Кылышканов, Ю. Н. Тюрин, А. Ш. Каверина, И. В. Якущенко, А. А. Борисенко, Б. А. Постольный, И. А. Кулик, “Анализ свойств и структура оксидированых покрытий, полученных на Al–Cu- и Al–Mg-сплавах”, ЖТФ, 82:6 (2012), 106–114; Tech. Phys., 57:6 (2012), 840–848
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf8851 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v82/i6/p106
|
|