Влияние уровня вакуума на автоэлектронную эмиссию из нанографитных пленок

Представлены результаты экспериментального исследования влияния уровня вакуума на автоэлектронную эмиссию из нанографитных пленок, полученных по методу плазмохимического осаждения. Показано, что стабильная эмиссия электронов со значением порогового поля 1–2 V/$\mu$m при плотности тока 0.1 mA/cm$^2$ из нанографита наблюдается при давлении остаточных газов в измерительной камере менее 10$^{-5}$ Torr. При более высоком давлении имеет место постепенная деградация автоэмиссионных свойств пленок со временем. Последующая откачка камеры до давления 10$^{-5}$ Torr частично восстанавливает эмиссионные характеристики. Такое поведение нанографитных эмиттеров объясняется влиянием адсорбционно-десорбционных процессов (обратимая деградация эмиссии) и разрушением материала пленки вследствие бомбардировки ионами остаточных газов (необратимые изменения).