Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2012, том 82, выпуск 9, страницы 44–48 (Mi jtf8918)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Оптика, квантовая электроника

Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/SiO$_2$/Si(100)

И. А. Тарасовab, Н. Н. Косыревab, С. Н. Варнаковab, С. Г. Овчинниковa, С. М. Жарковac, В. А. Швецde, С. Г. Бондаренкоa, О. Е. Терещенкоd

a Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
b Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия
c Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия
d Институт физики полупроводников СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
e Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (389 kB) Список цитирования (8)
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий проводить эксперсс-контроль толщины и оптических постоянных структур в процессе роста. Проведена апробация алгоритма на структурах Fe/SiO$_2$/Si(100), полученных в установке молекулярно-лучевой эпитаксии “Ангара”. Значения толщин пленок, рассчитанные в ходе их роста, сравнены с данными рентгеноспектрального флуоресцентного анализа и просвечивающей электронной микроскопии.
Поступила в редакцию: 04.10.2011
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2012, Volume 57, Issue 9, Pages 1225–1229
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784212090241
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Тарасов, Н. Н. Косырев, С. Н. Варнаков, С. Г. Овчинников, С. М. Жарков, В. А. Швец, С. Г. Бондаренко, О. Е. Терещенко, “Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/SiO$_2$/Si(100)”, ЖТФ, 82:9 (2012), 44–48; Tech. Phys., 57:9 (2012), 1225–1229
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TarKosVar12}
\by И.~А.~Тарасов, Н.~Н.~Косырев, С.~Н.~Варнаков, С.~Г.~Овчинников, С.~М.~Жарков, В.~А.~Швец, С.~Г.~Бондаренко, О.~Е.~Терещенко
\paper Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/SiO$_2$/Si(100)
\jour ЖТФ
\yr 2012
\vol 82
\issue 9
\pages 44--48
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf8918}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20325676}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2012
\vol 57
\issue 9
\pages 1225--1229
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784212090241}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf8918
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v82/i9/p44
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025