Особенности кинетики распада молекул дисилана на ростовой поверхности кремния в установках вакуумной газофазной эпитаксии

На основе данных технологических экспериментов для ряда кинетических моделей определена область характерных частот распада радикалов молекул дигидрида, адсорбируемых поверхностью в диапазоне температур от $450^\circ$C до $700^\circ$C. Установлена связь скорости встраивания атомов кремния в растущий кристалл с характерной частотой пиролиза молекул дисилана на поверхности кремния. Зависимость скорости распада фрагментов дисилана на поверхности кремния от температуры обнаруживает немонотонное поведение, характер которого различен в разных температурных режимах. Показано, что наблюдаемый вид зависимости скорости распада молекул на поверхности роста описывается суммой двух активационных кривых с разными энергиями активации, определяемыми особенностями взаимодействиями молекулярного пучка с поверхностью в условиях низкого и высокого уровней заполнения поверхностных связей водородом.