Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2012, том 82, выпуск 12, страницы 63–66 (Mi jtf8994)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Твердотельная электроника

Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния

С. Н. Нагорныхab, В. И. Павленковac, А. Н. Михайловa, А. И. Беловa, Л. В. Красильниковаad, Д. И. Крыжковd, Д. И. Тетельбаумa

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный педагогический университет им. Козьмы Минина – Мининский университет, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Арзамасский государственный педагогический институт им. А. П. Гайдара, 607220 Арзамас, Нижегородская область, Россия
d Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (477 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Представлена четырехуровневая модель фотолюминесценции массивов нанокристаллов $\mathrm{Si}$ в $\mathrm{SiO}_2$, учитывающая термоактивированные переходы между синглетным и триплетным уровнями обменно-расщепленного энергетического состояния экситона в возбужденном нанокристалле кремния. Получено выражение для температурной зависимости интенсивности монохроматических составляющих фотолюминесценции. Путем сравнения с оригинальными экспериментальными данными для ионно-синтезированных нанокристаллов $\mathrm{Si}$ в матрице $\mathrm{SiO}_2$ найдена связь между величиной расщепления и энергией излучаемых фотонов. Модель объясняет конечную интенсивность фотолюминесценции при температурах, близких к 0 K, и немонотонность температурной зависимости интенсивности от температуры.
Поступила в редакцию: 31.01.2012
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2012, Volume 57, Issue 12, Pages 1672–1675
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784212120213
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Л. В. Красильникова, Д. И. Крыжков, Д. И. Тетельбаум, “Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния”, ЖТФ, 82:12 (2012), 63–66; Tech. Phys., 57:12 (2012), 1672–1675
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NagPavMik12}
\by С.~Н.~Нагорных, В.~И.~Павленков, А.~Н.~Михайлов, А.~И.~Белов, Л.~В.~Красильникова, Д.~И.~Крыжков, Д.~И.~Тетельбаум
\paper Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния
\jour ЖТФ
\yr 2012
\vol 82
\issue 12
\pages 63--66
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf8994}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20325752}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2012
\vol 57
\issue 12
\pages 1672--1675
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784212120213}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf8994
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v82/i12/p63
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025