Особенности формирования короткопериодных многослойных композиций W/B$_4$C

Методами малоугловой рентгеновской дифрактометрии в Cu-$K_{\alpha}$-излучении и электронной микроскопии поперечных срезов изучались количественные характеристики межслоевого взаимодействия в многослойных периодических композициях W/B$_4$C, изготовленных магнетронным напылением. Установлено, что на образование перемешанных зон на границах слоев расходуется приблизительно 0.85 nm толщины слоя вольфрама. Перемешанные слои имеют плотность 13.4 $\pm$ 0.7 g/cm$^3$ и содержат вольфрам в связанном химически состоянии. Оценено влияние таких перемешанных зон на рентгеновскую отражательную способность многослойных композиций W/B$_4$C. Предложен способ оценки толщины слоев при малом количестве пиков на дифрактограмме.